Reuters: Samsung và SK Hynix nâng cấp nhà máy tại Trung Quốc để đối phó với sự cạnh tranh từ Yangtze Memory

Tin BlockBeats, ngày 21 tháng 10, theo Reuters đưa tin, Samsung Electronics và SK Hynix đang nâng cấp các nhà máy tại Trung Quốc, dự kiến sản xuất chip NAND flash có số lớp cao hơn, nhằm ứng phó với sự phát triển nhanh chóng của đối thủ Trung Quốc Yangtze Memory và đáp ứng nhu cầu lưu trữ ngày càng tăng trong lĩnh vực trí tuệ nhân tạo. Cả hai công ty đều xác nhận với Reuters rằng đang tiến hành các nâng cấp liên quan, và cho biết đã duy trì liên lạc chặt chẽ với phía Mỹ về công việc này, nhưng không tiết lộ kế hoạch sản xuất cụ thể.

Samsung dự kiến nâng cấp nhà máy tại Tây An, Trung Quốc để sản xuất chip NAND flash V9 286 lớp. Nhà máy này hiện chủ yếu sản xuất chip khoảng 200 lớp, chiếm khoảng 40% sản lượng NAND toàn cầu của Samsung. Theo người hiểu biết, nội bộ Samsung gọi dự án này là "Monami", mục tiêu đạt sản lượng 5.000 tấm wafer mỗi tháng vào tháng 12 năm 2026, và nâng lên 40.000 tấm mỗi tháng vào tháng 12 năm 2027.

Samsung cho biết, việc nâng cấp lần này nhằm đáp ứng nhu cầu của khách hàng toàn cầu bao gồm cả khách hàng Mỹ, không liên quan đến việc mở rộng công suất hay xây dựng cơ sở sản xuất mới. SK Hynix dự kiến nâng cấp nhà máy tại Đại Liên, Trung Quốc để sản xuất sản phẩm NAND 240 lớp trở lên, hiện nhà máy này sản xuất sản phẩm khoảng 192 lớp. Theo người hiểu biết, công ty đã được phép sản xuất chip tối đa 240 lớp tại Đại Liên, và có thể sẽ xin chính phủ Mỹ cho phép nghiên cứu phát triển chip trên 300 lớp tại địa phương, tạo nền tảng cho việc sản xuất các sản phẩm liên quan tại Mỹ trong tương lai.

SK Hynix cũng đang thảo luận với chính quyền Trump về kế hoạch xây dựng nhà máy NAND mới tại Mỹ. Báo cáo chỉ ra rằng, Mỹ từ năm 2022 đã áp dụng kiểm soát xuất khẩu đối với một số thiết bị sản xuất chip, nếu Samsung và SK Hynix muốn lắp đặt thiết bị sản xuất tại Mỹ trong nhà máy tại Trung Quốc, cần xin giấy phép hàng năm. Cục Công nghiệp và An ninh (BIS) thuộc Bộ Thương mại Mỹ trước đó cho biết, dự kiến cho phép hai công ty tiếp tục vận hành các nhà máy hiện có tại Trung Quốc, nhưng không có ý định phê duyệt đơn xin mở rộng công suất hoặc nâng cấp công nghệ. Reuters vẫn chưa thể xác nhận mức độ phê duyệt giấy phép xuất khẩu thiết bị cần thiết cho việc nâng cấp lần này của hai công ty.

Trong khi đó, thị phần của Yangtze Memory tại thị trường NAND Trung Quốc tiếp tục tăng. Dữ liệu từ tổ chức nghiên cứu Omdia cho thấy, thị phần của Yangtze Memory tại thị trường NAND Trung Quốc quý II năm 2026 đạt 38,5%, cao hơn mức 28% của cả năm 2025, và vượt qua Samsung. Cùng kỳ, thị phần của Samsung giảm từ 36% xuống 33,5%, SK Hynix giảm từ 20% xuống 17%. Yangtze Memory hiện chủ yếu sản xuất sản phẩm 160 lớp và 232 lớp, cũng đã sản xuất một lượng nhỏ chip 294 lớp, và dự kiến ra mắt sản phẩm trên 300 lớp. Hiện tại, Samsung bán chip NAND tối đa 286 lớp tại thị trường ngoài Trung Quốc, và vào tháng 8 năm nay đã trình diễn sản phẩm nguyên mẫu trên 400 lớp; SK Hynix bán chip NAND tối đa 321 lớp.