SK hynix hợp tác với SanDisk ra mắt chuẩn lưu trữ mới, tạo động lực mới cho giao dịch lưu trữ AI.

BlockBeats tin tức, ngày 4 tháng 8, theo thông cáo báo chí ngày 4 tháng 8 từ phòng tin tức SK Hynix, SK Hynix và SanDisk đã công bố thông số kỹ thuật tiêu chuẩn đầu tiên của HBF (High Bandwidth Flash, bộ nhớ flash băng thông cao) thông qua OCP, đồng thời trưng bày các giải pháp bộ nhớ AI liên quan tại FMS 2026 tổ chức ở Santa Clara, California, Hoa Kỳ.

HBF được định vị là một lớp lưu trữ mới nằm giữa HBM và SSD. Theo cách nói của SK Hynix, HBF hy vọng tận dụng công nghệ NAND để cung cấp dung lượng lớn hơn, đồng thời đạt được khả năng truyền dữ liệu tốc độ cao gần với HBM, nhằm đối phó với "bức tường bộ nhớ" do sự mở rộng của suy luận AI gây ra. Tiêu chuẩn phiên bản đầu tiên bao phủ dung lượng tối đa 512GB, dựa trên việc xếp chồng 8 lớp và 16 lớp die NAND, băng thông được chia thành ba cấp độ, khoảng 0,4TB/s đến 3,0TB/s. Về kết nối, sử dụng UCIe, nghĩa là trong tương lai có thể tích hợp linh hoạt hơn với GPU, CPU và các bộ xử lý khác.

Thông báo này được đưa ra đúng vào thời điểm cổ phiếu ngành bộ nhớ biến động mạnh. Giao dịch lưu trữ AI đã hạ nhiệt đột ngột vào tháng 7, theo báo cáo của Barron's, SanDisk và Micron trong tháng đó lần lượt giảm khoảng 47% và 29%, quỹ Roundhill Memory ETF giảm khoảng 32%. Tuy nhiên, bước sang tháng 8, tâm lý cổ phiếu chip bắt đầu phục hồi, chỉ số bán dẫn PHLX tăng hơn 1% vào thứ Hai, Nvidia tăng gần 3%, Micron và SanDisk cũng có dấu hiệu bật tăng. Thị trường một mặt lo ngại về việc định giá giai đoạn trước quá nóng, mặt khác vẫn tiếp tục tìm kiếm bằng chứng cho thấy nhu cầu hạ tầng AI chưa hạ nhiệt.

Từ góc độ này, ý nghĩa của tiêu chuẩn HBF không chỉ là một sản phẩm mới được ra mắt. Nó hướng đến giai đoạn tiếp theo của hạ tầng AI: cụm tính toán không còn chỉ cạnh tranh về số lượng GPU, mà băng thông bộ nhớ, dung lượng, mức tiêu thụ điện năng và hiệu quả vận chuyển dữ liệu cũng sẽ trở thành nút thắt hiệu năng của hệ thống. Việc SK Hynix và SanDisk chọn công bố tiêu chuẩn thông qua OCP cũng là nhằm đẩy HBF trở thành một hệ sinh thái mở, thay vì thông số kỹ thuật của một nhà sản xuất duy nhất. Google và Tenstorrent đã tham gia liên minh HBF, SK Hynix cũng sẽ cùng Google DeepMind và SanDisk thảo luận về cách dùng HBF để phá vỡ nút thắt bộ nhớ trong khuôn khổ FMS.

Thông cáo báo chí cũng tiết lộ rằng SK Hynix lần đầu tiên trưng bày công khai wafer và sản phẩm 4D NAND thế hệ thứ 10 với 375 lớp, cho biết hiệu năng trên mỗi watt tăng gấp 2,5 lần so với thế hệ trước, đồng thời có kế hoạch sản xuất hàng loạt eSSD hiệu năng cao, dung lượng lớn dựa trên công nghệ này vào đầu năm sau. Đây đều là những chất liệu cơ bản mới cho nhu cầu SSD doanh nghiệp, giá NAND tăng và nhu cầu lưu trữ trung tâm dữ liệu AI mà các nhà giao dịch gần đây liên tục định giá.