Samsung Taylor Fab 1 khởi động đầu tư thiết bị tiếp theo, tăng tốc sản xuất hàng loạt 2nm

Tin BlockBeats, ngày 23 tháng 10, theo báo Hàn Quốc đưa tin ngày 23 tháng 10, Samsung Electronics đã khởi động đầu tư thiết bị tiếp theo cho nhà máy wafer số 1 tại Taylor, Texas, Mỹ, hoàn tất giai đoạn bố trí cuối cùng trước khi sản xuất hàng loạt. Nhà máy này là dây chuyền sản xuất hàng loạt đúc wafer đầu tiên của Samsung tại Mỹ, mục tiêu đến nửa cuối năm sau đạt công suất 2 nanomet 20.000 wafer mỗi tháng. Samsung gần đây đã đặt mua thiết bị, trước tiên đáp ứng nhu cầu công suất khoảng 6.000 wafer mỗi tháng, thiết bị sẽ lần lượt được vận chuyển vào.

Nhà máy số 1 khởi công từ năm 2022, Samsung đã đầu tư lũy kế khoảng 37 tỷ USD, dự kiến vận hành vào cuối năm 2026, sản xuất hàng loạt chip EUV 2 nanomet từ năm 2027. Tỷ lệ lợi nhuận 2 nanomet của Samsung đã tăng từ khoảng 60% đầu năm lên khoảng 80%, đạt mức có thể sản xuất hàng loạt.

Về đơn hàng, nhà máy đã nhận đơn hàng 2 nanomet đầy đủ trước khi đi vào sản xuất, khách hàng bao gồm chip AI5 và AI6 của Tesla, chip truyền thông của Broadcom và chip thiết bị thông minh của Arm; Samsung và Tesla đã ký hợp đồng cung ứng dài hạn khoảng 16,5 tỷ USD vào tháng 7 năm 2025, thời hạn đến cuối năm 2033.

Việc mở rộng sản xuất vẫn chưa dừng lại. Samsung dự kiến khởi công xây dựng nhà máy Taylor số 2 vào đầu tháng 11, quy mô khoảng 1,5 lần nhà máy số 1, mục tiêu sản xuất hàng loạt chip 2 nanomet vào năm 2030. Tổng đầu tư của Samsung tại miền Trung Texas vượt 37 tỷ USD, Đạo luật Chip và Khoa học của Mỹ đã phê duyệt khoản trợ cấp trực tiếp tối đa 4,745 tỷ USD. Cục diện cạnh tranh vẫn còn chờ kiểm chứng.

Dữ liệu của TrendForce cho thấy, trong quý II năm nay, thị phần doanh thu đúc wafer toàn cầu của TSMC là 72,5%, Samsung là 5,9%. Việc công suất nhà máy Taylor được triển khai và tính ổn định của tỷ lệ lợi nhuận sẽ quyết định liệu Samsung có thể chuyển đà đơn hàng thành sự phục hồi thị phần hay không.