Samsung hợp tác với ASML phát triển mặt nạ quang khắc EUV thế hệ tiếp theo

BlockBeats tin tức, ngày 9 tháng 9, theo Seoul Economic Daily, Samsung Electronics sẽ cùng phát triển công nghệ quang khắc cực tím (EUV) khẩu độ số cao (High-NA) với ASML, nhà sản xuất thiết bị quang khắc lớn nhất thế giới. Samsung đang tham gia vào một nỗ lực nhằm thúc đẩy sự chuyển đổi tiêu chuẩn ngành, chuyển từ mặt nạ quang 6 inch được sử dụng từ những năm 1980 sang phiên bản 12 inch, đồng thời phấn đấu tiên phong thiết lập hệ thống sản xuất hàng loạt DRAM dựa trên thiết bị EUV khẩu độ số cao.

Samsung có kế hoạch bắt đầu áp dụng thiết bị EUV khẩu độ số cao vào sản xuất DRAM từ năm 2028, sau đó tiếp tục mở rộng công nghệ này sang quy trình logic tiên tiến 1.4 nanomet để thúc đẩy hoạt động kinh doanh đúc chip theo hợp đồng. Việc mở rộng kích thước mặt nạ quang nhằm khắc phục những hạn chế của công nghệ EUV. Khẩu độ số của EUV khẩu độ số cao cao hơn 66% so với EUV truyền thống, có thể tạo ra các mạch điện tử tinh vi hơn. Việc thay thế mặt nạ quang 6 inch hiện tại bằng mặt nạ quang 12 inch có thể nâng cao hiệu quả sản xuất tại nhà máy wafer và giảm chi phí chế tạo chip.