BlockBeats tin tức, ngày 28 tháng 8, theo báo cáo của 《Seoul Economic Daily》, Samsung Electronics đang phát triển sản phẩm HBM4E 8 tầng theo yêu cầu của NVIDIA, dự kiến sử dụng cho bộ nhớ băng thông cao tùy chỉnh NVHBM của NVIDIA. Phương án này giảm số lớp xếp chồng so với sản phẩm 12 tầng và 16 tầng mà Samsung chuẩn bị ban đầu, tốc độ mục tiêu mà NVIDIA đề ra là 17 đến 18Gbps, tăng khoảng 20% so với mẫu HBM4E ban đầu của Samsung là 14.4Gbps.
Thiết kế 8 tầng có thể giảm độ khó của việc mài mỏng tấm wafer, xếp chồng chính xác và đóng gói phía sau, giảm áp lực tỷ lệ đạt yêu cầu và tăng khả năng cung ứng. NVHBM có thể bắt đầu được áp dụng từ GPU Rubin Ultra AI dự kiến ra mắt vào năm sau. Quy mô kết nối GPU của Rubin Ultra sẽ được mở rộng từ 72 GPU hiện tại lên tối đa 576 GPU, sử dụng nhiều GPU tốc độ cao phối hợp để bù đắp cho sự giảm dung lượng bộ nhớ của từng GPU đơn lẻ.
Samsung đồng thời có khả năng thiết kế và sản xuất DRAM, chip logic và đế bán dẫn cơ bản, có thể cung cấp dịch vụ trọn gói cho HBM tùy chỉnh. Các chuyên gia trong ngành cho rằng, Samsung đã thể hiện tốc độ truyền tải cao trên HBM4, sau khi NVIDIA chuyển trọng tâm cạnh tranh từ xếp chồng cao sang truyền tải tốc độ cao, khả năng liên quan của họ có thể nhận được nhiều sự chú ý hơn.
